Name: IAUZN04S7L012ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND
Price: 1.8825 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUZN04S7L012ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUZN04S7L012ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUZN04S7L012ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUZN04S7L012ATMA1
Kuvaus	MOSFET_(20V 40V)
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 199A (Tj) 94W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8-39
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	199A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,25mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,8V @ 35µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3686 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	94W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSDSON-8-39
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN