Name: IAUTN06S5N008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND
Price: 6.8523 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUTN06S5N008ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUTN06S5N008ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUTN06S5N008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUTN06S5N008ATMA1
Kuvaus	MOSFET_)40V 60V)
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 60A (Ta), 350A (Tj) 258W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Ta), 350A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,76mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 275µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	20280 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	258W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HSOF-8-1
Pakkaus / kotelo	8-PowerSFN