Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 5.40905 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUT200N08S5N023ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUT200N08S5N023ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUT200N08S5N023ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™ 5	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 7670 pF @ 40 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 200W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,3mOhm @ 100A, 10V	Päätuotenumero IAUT200
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 130µA