Name: IAUCN10S7L040ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7L040ATMA1TR-ND
Price: 4.12895 EUR
Availability: OutOfStock

Uusi tuote

N-kanavatyyppi 100 V 18A (Ta), 131A (Tj) 142W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-34

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUCN10S7L040ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUCN10S7L040ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUCN10S7L040ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUCN10S7L040ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUCN10S7L040ATMA1
Kuvaus	MOSFET_(75V 120V(
Valmistajan vakio toimitusaika	35 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 18A (Ta), 131A (Tj) 142W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-34
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUCN10S7L040ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 66µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 83 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 7	Vgs (maks.) ±16V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4004 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 142W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 18A (Ta), 131A (Tj)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Valmistajan laitepakkaus PG-TDSON-8-34
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,95mOhm @ 60A, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN