Name: IAUCN08S7L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L110ATMA1TR-ND
Price: 1.61895 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUCN08S7L110ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUCN08S7L110ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUCN08S7L110ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUCN08S7L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUCN08S7L110ATMA1
Kuvaus	IAUCN08S7L110ATMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 50A (Tj) 58W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-34
EDA/CAD-mallit	IAUCN08S7L110ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	50A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 14µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	19.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1056 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	58W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-34
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN