FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FS45MR12W1M1B11BOMA1
DigiKeyn tuotenumero	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Kuvaus	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Runkokiinnitys AG-EASY1BM-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™+
Pakkaustapa	Kaukalo
Osan tila	Vanhentunut
Teknologia	Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio	6 N-kanavaa (3-vaiheinen silta)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200V (1,2kV)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	25A (Tj)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	45mOhm @ 25A, 15V (tyyp.)
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,55V @ 10mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	62nC @ 15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1840pF @ 800V
Teho - maksimi	-
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Pakkaus / kotelo	Moduuli
Valmistajan laitepakkaus	AG-EASY1BM-2
Päätuotenumero	FS45MR12