Name: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Price: 200.1223 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FF4MR12W2M1HB11BPSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 1200V (1,2kV) 170A (Tj) Runkokiinnitys Moduuli
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FF4MR12W2M1HB11BPSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Kaukalo
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200V (1,2kV)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	170A (Tj)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4mOhm @ 200A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,15V @ 80mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	594nC @ 18V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	17600pF @ 800V
Teho - maksimi	-
Toimintalämpötila	-40°C – 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Pakkaus / kotelo	Moduuli
Valmistajan laitepakkaus	Moduuli
Päätuotenumero	FF4MR12