FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FF11MR12W1M1B11BOMA1
DigiKeyn tuotenumero	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 1200V (1,2kV) 100A Runkokiinnitys Moduuli
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™+
Pakkaustapa	Kaukalo
Osan tila	Vanhentunut
Teknologia	Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200V (1,2kV)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,55V @ 40mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	250nC @ 15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7950pF @ 800V
Teho - maksimi	-
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Pakkaus / kotelo	Moduuli
Valmistajan laitepakkaus	Moduuli
Päätuotenumero	FF11MR12