Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 3.4889 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSZ16DN25NS3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSZ16DN25NS3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSZ16DN25NS3GATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 32µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 920 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 62,5W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 250 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TSDSON-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10,9A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero BSZ16DN25
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 165mOhm @ 5,5A, 10V