Name: BSZ086P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.59385 EUR
Availability: OutOfStock

BSZ086P03NS3GATMA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 4 717

Yksikköhinta : 1,78000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSZ086P03NS3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSZ086P03NS3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSZ086P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSZ086P03NS3GATMA1
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 13,5A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSZ086P03NS3GATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,1V @ 105µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 57.5 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±25V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4785 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TSDSON-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13,5A (Ta), 40A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero BSZ086
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,6mOhm @ 20A, 10V