Name: BSS225H6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225H6327FTSA1TR-ND
Price: 0.41415 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSS225H6327FTSA1
DigiKeyn tuotenumero	BSS225H6327FTSA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSS225H6327FTSA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSS225H6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSS225H6327FTSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Kiinnitys pintaan PG-SOT89
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSS225H6327FTSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	SIPMOS®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	90mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 94µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	131 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-SOT89
Pakkaus / kotelo	TO-243AA
Päätuotenumero	BSS225