Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 4.2419 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSC042NE7NS3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC042NE7NS3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC042NE7NS3GATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 91µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4800 pF @ 37.5 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 75 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TDSON-8-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 19A (Ta), 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero BSC042
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,2mOhm @ 50A, 10V