Name: BSC023N08NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC023N08NS5SCATMA1TR-ND
Price: 5.6726 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 80 V 202A (Tc) 188W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WSON-8-2

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSC023N08NS5SCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-BSC023N08NS5SCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-BSC023N08NS5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-BSC023N08NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC023N08NS5SCATMA1
Kuvaus	TRENCH 40<-<100V
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 202A (Tc) 188W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WSON-8-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC023N08NS5SCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 115µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6800 pF @ 40 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 188W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Valmistajan laitepakkaus PG-WSON-8-2
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 202A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerWDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero BSC023
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,3mOhm @ 50A, 10V