Name: AIMW120R060M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMW120R060M1HXKSA1-ND
Price: 38.4532 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMW120R060M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMW120R060M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMW120R060M1HXKSA1
Kuvaus	1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMW120R060M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 5,6mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1060 pF @ 800 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 150W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 36A (Tc)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-41
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-3

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
DMWSH120H90SM3Q	Diodes Incorporated	24	31-DMWSH120H90SM3Q-ND	12,64000 €	Samankaltainen
MSC040SMA120B4	Microchip Technology	34	150-MSC040SMA120B4-ND	14,97000 €	Samankaltainen