Name: AIMCQ120R080M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND
Price: 10.55455 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMCQ120R080M1TXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMCQ120R080M1TXTMA1
Kuvaus	SIC_DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 34A (Tc) 211W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMCQ120R080M1TXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 3,3mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	24 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	671 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	211W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HDSOP-22
Pakkaus / kotelo	22-PowerBSOP-moduuli