Name: GT042P06T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT042P06T-ND
Price: 4.6184 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GT042P06T
DigiKeyn tuotenumero	3141-GT042P06T-ND
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	GT042P06T
Kuvaus	MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 160A (Tc) 280W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,5mOhm @ 15A, 10V
Valm. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Sarja SGT	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 305 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9151 pF @ 30 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 280W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 160A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 0

Tarkista toimitusaika

Pyydä ilmoitus siitä kun tuotetta on taas saatavana

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki