Name: G1K3N10G
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K3N10GTR-ND
Price: 0.81575 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G1K3N10G
DigiKeyn tuotenumero	3141-G1K3N10GTR-ND - Rullattu teippi (TR) 3141-G1K3N10GCT-ND - Cut Tape (CT) 3141-G1K3N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G1K3N10G
Kuvaus	N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 5A (Tc) 1,5W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-89
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 5A, 10V
Valm. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 644 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 1,5W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus SOT-89
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-243AA

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 000

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)