Name: DIF120SIC022
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIF120SIC022-ND
Price: 31.5005 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DIF120SIC022
DigiKeyn tuotenumero	4878-DIF120SIC022-ND
Valmistaja	Diotec Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	DIF120SIC022
Kuvaus	SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Valmistajan vakio toimitusaika	9 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 120A (Tc) 340W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DIF120SIC022 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diotec Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	22,3mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 23,5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	269 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, −4V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4817 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	340W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4
Pakkaus / kotelo	TO-247-4