Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 2.14605 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DI2A2N100D1K
DigiKeyn tuotenumero	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Rullattu teippi (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Cut Tape (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diotec Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	DI2A2N100D1K
Kuvaus	MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252 (DPak)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DI2A2N100D1K -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diotec Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1000 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	6,8Ohm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	510 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	30W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252 (DPak)
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63