Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 2.2841 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DI2A2N100D1K
DigiKeyn tuotenumero	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Rullattu teippi (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Cut Tape (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diotec Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	DI2A2N100D1K
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252 (DPak)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DI2A2N100D1K -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Diotec Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±25V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 510 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 30W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1000 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,2A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-252 (DPak)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,8Ohm @ 1,5A, 10V