Name: DMWSH120H90SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM3-ND
Price: 11.73425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMWSH120H90SM3
DigiKeyn tuotenumero	31-DMWSH120H90SM3-ND
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMWSH120H90SM3
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V TO-247
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 41A (Tc) 246W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	41A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	97.5mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	50.9 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+19V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1090 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	246W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247
Pakkaus / kotelo	TO-247-3