Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 1.54365 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH8012LPSQ-13
DigiKeyn tuotenumero	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH8012LPSQ-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10A (Ta), 72A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	46.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2051 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,6W (Ta), 136W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerDI5060-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	DMTH8012