Name: DMTH8008LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND
Price: 2.2088 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH8008LFGQ-7
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH8008LFGQ-7CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH8008LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH8008LFGQ-7
Kuvaus	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1,2W (Ta), 50W (Tc) Kiinnitys pintaan POWERDI3333-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 37.7 nC @ 10 V
Valm. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2254 pF @ 40 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,2W (Ta), 50W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 17A (Ta), 70A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Valmistajan laitepakkaus POWERDI3333-8
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,9mOhm @ 20A, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA