Name: DMTH6010LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6010LPDQ-13DITR-ND
Price: 2.04565 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH6010LPDQ-13
DigiKeyn tuotenumero	DMTH6010LPDQ-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMTH6010LPDQ-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMTH6010LPDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH6010LPDQ-13
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 13,1A (Ta), 47,6A (Tc) 2,8W Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 40,2nC @ 10V
Valmistaja Diodes Incorporated	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2615pF @ 30V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Teho - maksimi 2,8W
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13,1A (Ta), 47,6A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V	Valmistajan laitepakkaus PowerDI5060-8
Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA	Päätuotenumero DMTH6010