Name: DMTH43M8LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND
Price: 1.1797 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH43M8LFGQ-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH43M8LFGQ-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH43M8LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH43M8LFGQ-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) Kiinnitys pintaan POWERDI3333-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMTH43M8LFGQ-13 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2798 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,62W (Ta), 65,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	POWERDI3333-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	DMTH43