Name: DMT8012LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-7DITR-ND
Price: 1.69425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT8012LFG-7
DigiKeyn tuotenumero	DMT8012LFG-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMT8012LFG-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMT8012LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT8012LFG-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 9,5A (Ta), 35A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) Kiinnitys pintaan POWERDI3333-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1949 pF @ 40 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,2W (Ta), 30W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 9,5A (Ta), 35A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus POWERDI3333-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V	Päätuotenumero DMT8012

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 4 347

Tehtaan varastossa: 8 000

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)