Name: DMT6010LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6010LPS-13DITR-ND
Price: 1.757 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT6010LPS-13
DigiKeyn tuotenumero	DMT6010LPS-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMT6010LPS-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMT6010LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT6010LPS-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 13,5A (Ta), 80A (Tc) 2,2W (Ta), 113W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 41.3 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2090 pF @ 30 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,2W (Ta), 113W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13,5A (Ta), 80A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerDI5060-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero DMT6010

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 3 046

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)