Name: DMT36M1LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT36M1LPS-13DITR-ND
Price: 0.9287 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT36M1LPS-13
DigiKeyn tuotenumero	DMT36M1LPS-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMT36M1LPS-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMT36M1LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT36M1LPS-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 65A (Tc) 2,6W (Ta) Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 16.7 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1155 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,6W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 65A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerDI5060-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero DMT36

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 4 225

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,74000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	0,92870 €

DMT36M1LPS-13