Name: DMT32M6LDG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT32M6LDG-13TR-ND
Price: 2.4096 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT32M6LDG-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMT32M6LDG-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMT32M6LDG-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMT32M6LDG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT32M6LDG-13
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) Kiinnitys pintaan PowerDI3333-8 (tyyppi G)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 400µA
Valmistaja Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 15,6nC @ 4,5V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2101pF @ 15V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 1,1W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 21A (Ta), 47A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerDI3333-8 (tyyppi G)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,5mOhm @ 18A, 10V	Päätuotenumero DMT32