Name: DMNH6008SCTQ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6008SCTQDI-ND
Price: 2.74845 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMNH6008SCTQ
DigiKeyn tuotenumero	DMNH6008SCTQDI-ND
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMNH6008SCTQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMNH6008SCTQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	130A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2596 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	210W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	DMNH6008