Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 0.33885 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN65D8LFB-7B
DigiKeyn tuotenumero	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Cut Tape (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN65D8LFB-7B
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Kiinnitys pintaan X1-DFN1006-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMN65D8LFB-7B -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 25 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 430mW (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus X1-DFN1006-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 260mA (Ta)	Pakkaus / kotelo 3-UFDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 5V, 10V	Päätuotenumero DMN65
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3Ohm @ 115mA, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 0

Tarkista toimitusaika

Pyydä ilmoitus siitä kun tuotetta on taas saatavana

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)