Name: DMN6013LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFG-7DITR-ND
Price: 1.04165 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN6013LFG-7
DigiKeyn tuotenumero	DMN6013LFG-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN6013LFG-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN6013LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN6013LFG-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 10,3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Kiinnitys pintaan POWERDI3333-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10,3A (Ta), 45A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	55.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2577 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	POWERDI3333-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	DMN6013