Name: DMN3030LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3030LSS-13DITR-ND
Price: 0.8785 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN3030LSS-13
DigiKeyn tuotenumero	DMN3030LSS-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN3030LSS-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN3030LSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN3030LSS-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 9A (Ta) 2,5W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-SO
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,1V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±25V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 741 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 9A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus 8-SO
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V	Päätuotenumero DMN3030

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2 597

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)