Name: DMN21D2UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN21D2UFB-7BDITR-ND
Price: 0.4769 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN21D2UFB-7B
DigiKeyn tuotenumero	DMN21D2UFB-7BDITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN21D2UFB-7BDICT-ND - Cut Tape (CT) DMN21D2UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN21D2UFB-7B
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Kiinnitys pintaan X1-DFN1006-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 0.93 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 27.6 pF @ 16 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 380mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 760mA (Ta)	Valmistajan laitepakkaus X1-DFN1006-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,5V, 4,5V	Pakkaus / kotelo 3-UFDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4,5V	Päätuotenumero DMN21

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 57 248

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)