Name: DMN2020LSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2020LSN-7DITR-ND
Price: 0.5271 EUR
Availability: InStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

DMN2020LSN-7
DigiKeyn tuotenumero	DMN2020LSN-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN2020LSN-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN2020LSN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN2020LSN-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 6,9A (Ta) 610mW (Ta) Kiinnitys pintaan SC-59-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,9A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 9,4A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1149 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	610mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SC-59-3
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	DMN2020

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,42000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	0,52710 €

DMN2020LSN-7