Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 0.753 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN2019UTS-13
DigiKeyn tuotenumero	DMN2019UTS-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN2019UTS-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN2019UTS-13
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 20V 5,4A 780mW Kiinnitys pintaan 8-TSSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMN2019UTS-13 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Vgs(th) (maks.) @ Id 950mV @ 250µA
Valmistaja Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8,8nC @ 4,5V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 143pF @ 10V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 780mW
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen) yhteinen nielu	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
FET-ominaisuus Logiikkatasoportti	Pakkaus / kotelo 8-TSSOP (0,173", 4,40mm leveys)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20V	Valmistajan laitepakkaus 8-TSSOP
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5,4A	Päätuotenumero DMN2019
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 18,5mOhm @ 7A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 554

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)