Name: DMN2009USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009USS-13TR-ND
Price: 1.14205 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN2009USS-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMN2009USS-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMN2009USS-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMN2009USS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN2009USS-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 12,1A (Ta) 1,4W Kiinnitys pintaan 8-SO
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,2V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1706 pF @ 10 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 1,4W
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12,1A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus 8-SO
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V	Päätuotenumero DMN2009

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 34

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,91000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	1,14205 €

DMN2009USS-13