Name: DMN15H310SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN15H310SE-13DITR-ND
Price: 1.9829 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 150 V 2A (Ta), 7,1A (Tc) 1,9W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-223-3

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN15H310SE-13
DigiKeyn tuotenumero	DMN15H310SE-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN15H310SE-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN15H310SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN15H310SE-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 150 V 2A (Ta), 7,1A (Tc) 1,9W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-223-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 405 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 1,9W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 150 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2A (Ta), 7,1A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus SOT-223-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 310mOhm @ 1,5A, 10V	Päätuotenumero DMN15

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 3 587

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Enimmäisostorajoitus

Tällä tuotteella on enimmäisostomäärä voidaksemme vastata kaikkien asiakkaidemme tutkimus- ja kehitystarpeisiin. Tämän määrän voi ostaa 30 päivän välein ja kaikki rajoituksen ylittävät tilaukset voidaan peruuttaa.