Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 0.6777 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN1019USN-7
DigiKeyn tuotenumero	DMN1019USN-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN1019USN-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN1019USN-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Kiinnitys pintaan SC-59-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMN1019USN-7 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 800mV @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 50.6 nC @ 8 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2426 pF @ 10 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 680mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 12 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 9,3A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus SC-59-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,2V, 2,5V	Pakkaus / kotelo TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9,7A, 4,5V	Päätuotenumero DMN1019

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 16 370

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)