Neljännen sukupolven E/EF-sarjan MOSFET-transistorit
Vishayn MOSFET-transistorit tarjoavat alhaisemmat kytkentä- ja johtumishäviöt
Vishayn 4. sukupolven 600 V ja 650 V:n super-junction-teknologiaa ja PowerPAK-koteloa käyttävät MOSFET-transistorit mahdollistavat 10-kertaisen vähennyksen Qrr-arvoon, mikä auttaa välttämään kovaa kommutointia siltateknologioissa. Ne tarjoavat myös alhaisemman Co(ter)-arvon lataus/purkuajassa, mikä optimoi ZVS-käyttäytymisen. Matala RDS(ON) x Qg FOM auttaa suunnittelijoita kasvattamaan tehotiheyttä ja järjestelmän hyötysuhdetta.
- 4. sukupolven E/EF-sarjan teknologia
- Matala FOM RON x Qg
- Matala todellinen kapasitanssi (Co(er))
- Vähemmän kytkentä- ja johtumishäviöitä
- Vyöryenergialuokitus (UIS)
- Kelvin-liitos vähentää kohinaa hilassa
- Palvelin- ja tietoliikennevirtalähteet
- Hakkurivirtalähteet (SMPS)
- Virtalähteet tehokertoimen korjauksella (PFC)
- Valaistus
- HID (High-Intensity Discharge)
- Loisteputkivalaistus
- Teollisuus
- Hitsaus
- Induktiivinen lämmitys
- Moottorinohjaus
- Akkulaturit
- Aurinkoinvertterit
Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs
| Kuva | Manufacturer Part Number | Kuvaus | Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C | Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | Saatavana oleva määrä | Hinta | Näytä tiedot | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SIHH085N60EF-T1GE3 | EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST | 30A (Tc) | 85mOhm @ 17A, 10V | 5635 - Immediate | $7.03 | Näytä tiedot |
![]() | ![]() | SIHH080N60E-T1-GE3 | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 | 32A (Tc) | 80mOhm @ 17A, 10V | 3553 - Immediate | $4.65 | Näytä tiedot |
![]() | ![]() | SIHH068N60E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8 | 34A (Tc) | 68mOhm @ 15A, 10V | 86 - Immediate | $5.69 | Näytä tiedot |
![]() | ![]() | SIHH070N60EF-T1GE3 | MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8 | 36A (Tc) | 71mOhm @ 15A, 10V | 3000 - Immediate | $5.88 | Näytä tiedot |
![]() | ![]() | SIHR080N60E-T1-GE3 | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 | 51A (Tc) | 84mOhm @ 17A, 10V | 1990 - Immediate | $6.26 | Näytä tiedot |




