Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GTxxxTS065x huippunopeat puolisiltamalliset IGBT-tehomoduulit alhaisella VCE(ON)-arvolla

Vishay tarjoaa suunnittelijoille mahdollisuuden valita alhainen VCE(ON) tai alhainen Eoff johtumis- tai kytkentähäviöiden vähentämiseksi

Kuvassa Vishayn VS-GTxxxTS065x IGBT-tehomoduulitVishayn IGBT-puolisilta-tehomoduulit käyttävät uudelleensuunniteltua INT-A-PAK-koteloa. VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N ja VS-GT200TS065N käyttävät Vishayn Trench IGBT -teknologiaa ja tarjoavat suunnittelijoille mahdollisuuden valita kahdesta luokkansa parhaasta teknologiasta joko alhaisen VCE(ON)-arvon tai alhaisen Eoff-arvon joko johtumis- tai kytkentähäviöiden vähentämiseksi korkean virran invertteriasteissa kuljetus-, energia- ja teollisuussovelluksissa. Niiden Trench IGBT-transistorit säästävät tehoa muihin komponentteihin verrattuna ja niiden Gen IV FRED Pt® anti-parallel -diodit tarjoavat erittäin pehmeän estosuuntaisen elpymisen. Moduulien kompakti INT-A-PAK-kotelo käyttää päivitettyä hilanastan orientaatiota ja se on nyt 100 % yhteensopiva 34 mm:n teollisuusstandardin mukaisen kotelon kanssa tarjoten mekaaniselta kannalta suoraan vaihdettavan korvausosan.

Ominaisuudet
  • Alan alhaisin kollektori-emitteri-jännite 1,07 V tai vähemmän lämpötilassa +125 °C ja luokitellulla virralla (GT100TS065S, VS-GT150TS065S ja VS-GT200TS065S)
    • Vähentää lähtöasteiden johtumishäviöitä TIG-hitsauskoneissa
  • Erittäin alhaiset kytkentähäviöt, Eoff jopa vain 1,0 mJ lämpötilassa +125 °C ja luokitellulla virralla (VS-GT100TS065N ja VS-GT200TS065N)
    • Ihanteellinen korkeataajuisiin tehosovelluksiin
  • Kollektori-emitteri-jännite 650 V
  • Saatavana uudelleensuunnitellussa INT-A-PAK-kotelossa
  • Yhdistää Trench IGBT -transistorit sekä Gen IV FRED Pt anti-parallel -diodit
  • Jatkuva kollektorivirta 100 A – 200 A
  • Erittäin alhainen terminen resistiivisyys siirtymävyöhykkeestä koteloon
  • UL-hyväksyntätunnus E78996
  • Voidaan kiinnittää suoraan jäähdytyslevyihin
  • Alhainen EMI vähentää kytkentäsuojapiirin tarvetta
  • RoHS-direktiivin mukainen
Käyttökohteet
  • Virtalähdeinvertterit seuraaviin ympäristöihin:
    • rautatiekalusto
    • energiantuotanto
    • jakelu
    • tallennusjärjestelmät
  • hitsauslaitteet
  • moottorinohjaus
  • robotiikka.

VS-GTxxxTS065x IGBT Power Modules

KuvaManufacturer Part NumberKuvausVirta - kollektori (Ic) (maks.)Teho - maksimiVce(on) (maks.) @ Vge, IcSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IGBT MOD 650V 96A INT-A-PAK IGBTVS-GT100TS065NIGBT MOD 650V 96A INT-A-PAK IGBT96 A259 W2,3V @ 15V, 100A4 - Immediate$62.20Näytä tiedot
IGBT MOD 650V 247A INTA-PAK IGBTVS-GT100TS065SIGBT MOD 650V 247A INTA-PAK IGBT247 A517 W1,32V @ 15V, 100A13 - Immediate$72.21Näytä tiedot
IGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBTVS-GT200TS065NIGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBT193 A517 W2,3V @ 15V, 200A0 - Immediate$75.61Näytä tiedot
IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBTVS-GT150TS065SIGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT372 A789 W1,32V @ 15V, 150A15 - Immediate$82.45Näytä tiedot
IGBT MOD 650V 476A INTA-PAK IGBTVS-GT200TS065SIGBT MOD 650V 476A INTA-PAK IGBT476 A1000 W1,32V @ 15V, 200A12 - Immediate$92.57Näytä tiedot
Published: 2024-02-21