Smart Watch Solution

Toshiba’s smart watch solutions get more performance in a smaller package

Image of Toshiba's Smart Watch Solution Designing power circuitry for smart watches and other wearables can be a challenge due to the expectations of today's consumer: more functionality, longer battery life, and smaller size. Toshiba's discrete components increase available board space and reduce passive current consumption to ensure long battery life. Toshiba offers tiny MOSFETs, diodes, and transistors in addition to feature-rich ICs such as LDO regulators, load switches, and the intelligent eFuse IC.

Power Supply Circuit Solutions

Wireless or contact charging presents design challenges with control and protection from the outside world, whether it is a short circuit condition or EMI.

Toshiba load switches or eFuse ICs can provide precise control in addition to overvoltage and overcurrent protection. These ICs are supported by various FETs and diodes.

Beyond the PMIC, there are requirements for LDOs and switches designed for rails leading to sensitive sensors, chipsets, and other modules. Performance is maximized by implementing low IQ load switches and LDOs which come in tiny wafer-level chip-scale packages.

Image of Toshiba's Power Supply Circuit Solutions Diagram

Interface Circuit Solutions

Another consideration is the interface side of any design. This involves the subsystem which manages sensor outputs and controls displays or wireless modules.

Sensors are becoming increasingly smaller and, as such, require ultra-low offset voltage and low noise op amps to help bring the recorded signal to a readable level. Toshiba offers op amps to address both of these requirements.

In addition, Toshiba offers high speed and high current ESD protection diodes to help manage unwelcome static shock, a concern when designing wearables and other handheld devices. This is achieved with minimal insertion loss, allowing for speeds up to 10 Gbps.

Image of Toshiba's Interface Circuit Solutions Diagram

Application Details Link:

https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/application/smart-watch.html

Key Benefits

  • Wide portfolio of products
  • Reduces the need for board space with smaller packaging
  • Increases battery life by minimizing quiescent current (IQ)
  • Offers application notes and other material to help with design
  • Aids in new protection standards (IEC-62368-1) with eFuse

Supporting Components

MOSFETs

KuvaManufacturer Part NumberKuvausJännite nielusta lähteeseen (Vdss)Rds päällä (maks.) @ Id, VgsVgs (maks.)Saatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3CSSM3J35CTC,L3FMOSFET P-CH 20V 250MA CST3C20 V1,4Ohm @ 150mA, 4,5V±10V19089 - Immediate$0.18Näytä tiedot
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3SSM3J56ACT,L3FMOSFET P-CH 20V 1.4A CST320 V390mOhm @ 800mA, 4,5V1.6 nC @ 4.5 V16991 - Immediate$0.23Näytä tiedot
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3CSSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C20 V1,1Ohm @ 150mA, 4,5V0.34 nC @ 4.5 V132434 - Immediate$0.21Näytä tiedot
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3SSM3K56ACT,L3FMOSFET N-CH 20V 1.4A CST320 V235mOhm @ 800mA, 4,5V1 nC @ 4.5 V135674 - Immediate$0.10Näytä tiedot

Load Switch IC

KuvaManufacturer Part NumberKuvausRajapintaJännite - kuormaJännite - syöttö (Vcc/Vdd)Saatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK106AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDPäällä/Pois1,1V – 5,5VEi vaadita18993 - Immediate$0.25Näytä tiedot
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK107AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDPäällä/Pois1,1V – 5,5VEi vaadita193088 - Immediate$0.25Näytä tiedot
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK108AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDPäällä/Pois1,1V – 5,5VEi vaadita25679 - Immediate$0.25Näytä tiedot

eFuse IC

KuvaManufacturer Part NumberKuvausToimintalämpötilaAsennustyyppiPakkaus / koteloSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IC ELECTRONIC FUSE 10WSONTCKE805NA,RFIC ELECTRONIC FUSE 10WSON-40°C – 85°C (TA)Kiinnitys pintaan10-WFDFN avoin juotoskohta90 - Immediate$1.22Näytä tiedot
IC ELECTRONIC FUSE 10WSONTCKE805NL,RFIC ELECTRONIC FUSE 10WSON-40°C – 85°C (TA)Kiinnitys pintaan10-WFDFN avoin juotoskohta3416 - Immediate$1.22Näytä tiedot

LDO Regulators

KuvaManufacturer Part NumberKuvausJännitehäviö (maks.)Virta - lepovirta (Iq)OhjausominaisuudetSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG12A,LFIC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-F0,857V @ 300mA580 nAKäyttöönotto4480 - Immediate$0.24Näytä tiedot
IC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG18A,LFIC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-F0,457V @ 300mA680 nAKäyttöönotto28312 - Immediate$0.24Näytä tiedot
IC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPFTCR3UG285A,LFIC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPF0,327V @ 300mA680 nAKäyttöönotto5000 - Immediate$0.24Näytä tiedot
IC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG30A,LFIC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-F0,273V @ 300mA680 nAKäyttöönotto13333 - Immediate$0.24Näytä tiedot
IC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG33A,LFIC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-F0,273V @ 300mA680 nAKäyttöönotto14610 - Immediate$0.24Näytä tiedot

FET Driver ICs

KuvaManufacturer Part NumberKuvausHilan tyyppiLogiikan jännite - VIL, VIHVirta - huippulähtö (lähde, nielu)Saatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPETCK401G,LFIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE-0,4V, 1,6V-57734 - Immediate$0.45Näytä tiedot
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPETCK402G,LFIC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE-0,4V, 1,6V-4877 - Immediate$0.45Näytä tiedot

ESD Diodes for Power Line Protection

KuvaManufacturer Part NumberKuvausVirta - huippupulssi (10/1000µs)Teho - pulssin huippuSyöttöjännitteen suojausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
TVS DIODE 5.5VWM 16VC SL2DF2B7BSL,L3FTVS DIODE 5.5VWM 16VC SL27,3A (8/20µs)115WNo2735 - Immediate$0.10Näytä tiedot
TVS DIODE 12.6VWM CST2CDF2S14P2CTC,L3FTVS DIODE 12.6VWM CST2C50A-No23705 - Immediate$0.26Näytä tiedot

Schottky Barrier Diodes

KuvaManufacturer Part NumberKuvausNopeusVirta - käänteinen vuoto @ VrKapasitanssi @ Vr, FSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2CTS520,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2Piensignaali =< 200mA (Io), Kaikki nopeudet5 µA @ 30 V16pF @ 0V, 1MHz492158 - Immediate$0.12Näytä tiedot
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2CTS521,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2Piensignaali =< 200mA (Io), Kaikki nopeudet30 µA @ 30 V25pF @ 0V, 1MHz128990 - Immediate$0.10Näytä tiedot
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2DSF01S30SL,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2Piensignaali =< 200mA (Io), Kaikki nopeudet50 µA @ 30 V9,02pF @ 2V, 1MHz4167 - Immediate$0.23Näytä tiedot
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2DSR01S30SL,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2Piensignaali =< 200mA (Io), Kaikki nopeudet700 nA @ 30 V8,2pF @ 0V, 1MHz25471 - Immediate$0.19Näytä tiedot

High Speed ESD Diodes

KuvaManufacturer Part NumberKuvausVirta - huippupulssi (10/1000µs)Teho - pulssin huippuSyöttöjännitteen suojausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2DF2B5M4ASL,L3FTVS DIODE 3.6VWM 15VC SL22A (8/20µs)30WNo4925 - Immediate$0.20Näytä tiedot
TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2DF2B6M4ASL,L3FTVS DIODE 5.5VWM 15VC SL22A (8/20µs)30WNo9719 - Immediate$0.19Näytä tiedot
TVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2DF2B26M4SL,L3FTVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2500mA (8/20µs)19WNo49500 - Immediate$0.15Näytä tiedot
TVS DIODE 3.3VWM 25VC SL2DF2B5M5SL,L3FTVS DIODE 3.3VWM 25VC SL22,5A (8/20µs)37WNo0 - Immediate$0.28Näytä tiedot
TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2DF2B6M5SL,L3FTVS DIODE 5VWM 26.5VC SL22,5A (8/20µs)37WNo273 - Immediate$0.18Näytä tiedot

Operational Amplifiers

KuvaManufacturer Part NumberKuvausLähdön tyyppiMuuttumisnopeusVirta - biastuloSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
IC CMOS 1 CIRCUIT UFVTC75S67TU,LFIC CMOS 1 CIRCUIT UFV-1V/µs1 pA3962 - Immediate$0.24Näytä tiedot
Published: 2020-05-27