onsemi

650 V EliteSiC - Silicon Carbide Diodes

onsemi diodes provide superior switching performance and high reliability

Image of onsemi 650 V Silicon Carbide Diodesonsemi silicon carbide EliteSiC Schottky diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance make silicon carbide the next generation of power semiconductors. System benefits include high efficiency, higher operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Features
  • Easy to parallel
  • High surge current capacitance
  • Max junction temperature: +175°C
  • No reverse recovery/no forward recovery
  • Higher switching frequency
  • Low forward voltage (VF)
  • Positive temperature coefficient
  • AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Applications
  • Automotive HEV-EV DC/DC converters
  • Automotive HEV-EV onboard chargers
  • Industrial power
  • PFC
  • Solar
  • UPS
  • Welding

650 V Silicon Carbide Diodes

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2FFSH5065B-F085DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-280 - Immediate
1350 - Factory Stock		$14.60Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472FFSH1065B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO24721565 - Immediate
9900 - Factory Stock		$7.47Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3FFSP2065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-344 - Immediate
800 - Factory Stock		$6.49Näytä tiedot
DIODE SIC 650V 20A TO220F2FSFFSPF2065ADIODE SIC 650V 20A TO220F2FS0 - ImmediateSee Page for PricingNäytä tiedot
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAKFFSB1065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK1515 - Immediate
4800 - Factory Stock		$3.56Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3FFSH1265BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3576 - Immediate
2250 - Factory Stock		$6.04Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2FFSH1665ADIODE SIL CARB 650V 23A TO247-20 - Immediate
8925 - Marketplace		$3.76Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3FFSH4065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3140 - Immediate$11.42Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFNFFSM1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN4424 - Immediate$3.39Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2FFSH3065BDIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2119 - Immediate
900 - Factory Stock		$6.06Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665B-F085DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO2521938 - Immediate
132500 - Factory Stock		$2.62Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252FFSD1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2523958 - Immediate
7500 - Factory Stock		$2.94Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2522046 - Immediate
5000 - Factory Stock		$3.20Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252438 - Immediate$2.37Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2524744 - Immediate
22500 - Factory Stock		$2.89Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFNFFSM0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN2938 - Immediate
378000 - Factory Stock		$2.87Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFNFFSM0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN2955 - Immediate
159000 - Factory Stock		$3.03Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LFFSP1065ADIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L1426 - Immediate
58400 - Factory Stock		$3.94Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252FFSD2065BDIODE SIL CARB 650V 23.4A TO2521584 - Immediate$3.92Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263FFSB2065BDIODE SIL CARB 650V 22.8A TO2632021 - Immediate$4.29Näytä tiedot

Other Wide Bandgap Solutions

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - ImmediateSee Page for PricingNäytä tiedot
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472374 - Immediate$15.05Näytä tiedot
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2633 - Immediate
5000 - Factory Stock		$5.54Näytä tiedot
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1231 - Immediate$5.22Näytä tiedot
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Immediate
114000 - Factory Stock		$4.91Näytä tiedot
Published: 2019-11-06

Related Videos

Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing
Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing

Publish Date: 2024-07-15

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Publish Date: 2024-04-03

Related Product Highlight

NTHL SiC MOSFETs onsemi's NTHL SiC MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size.
Wide Bandgap Technologies onsemi offers a robust range of highly efficient & intelligent power components providing a full WBG ecosystem, including a variety of EliteSiC devices to choose from. Find the best fit for your application at DigiKey today!
UHD Power Conversion ON Semi offers a complete portfolio of power products covering a variety of power conversion applications, from MOSFETs, IGBTs, power modules and more. ON Semi is equipped to support engineers in assisting in their creative design innovations.

Related Articles and Blogs

Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.
Miten luodaan tehokkaampi ja luotettavampi energiainfrastruktuuri ja samalla lasketaan kustannuksia Miten piikarbidia (SiC) käyttämällä voidaan luoda tehokkaampia ja luotettavampia energiainfrastruktuurijärjestelmiä pienemmillä hiilijalanjäljillä ja alhaisemmilla kustannuksilla.