Name: SM8S30AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S30AHE3_A/IGITR-ND
Price: 5.4718 EUR
Availability: InStock

48,4V Puristusliitin 136A Ipp TVS - diodit Kiinnitys pintaan DO-218AB

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SM8S30AHE3_A/I
DigiKeyn tuotenumero	SM8S30AHE3_A/IGITR-ND - Rullattu teippi (TR) SM8S30AHE3_A/IGICT-ND - Cut Tape (CT) SM8S30AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Valmistajan tuotenumero	SM8S30AHE3_A/I
Kuvaus	TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
Valmistajan vakio toimitusaika	7 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	48,4V Puristusliitin 136A Ipp TVS - diodit Kiinnitys pintaan DO-218AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SM8S30AHE3_A/I -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Virtapiirin suojaus Transienttijännitteen vaimennin (TVS) TVS-diodit	Virta - huippupulssi (10/1000µs) 136A
Valm. Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Teho - pulssin huippu 6600W (6,6kW)
Sarja PAR®	Syöttöjännitteen suojaus No
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Osan tila Aktiivinen	Luokka Autoteollisuus
Tyyppi Zener	Hyväksyntä AEC-Q101
Yksisuuntaiset kanavat 1	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite - käänteinen läpilyöntijännite (tyyp.) 30V	Pakkaus / kotelo DO-218AB
Jännite - läpilyönti (min) 33,3V	Valmistajan laitepakkaus DO-218AB
Jännite - lukitus (maks.) @ Ipp 48,4V	Päätuotenumero SM8S30