Name: BYT54M-TAP
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: BYT54M-TAPGITB-ND
Price: 2.6104 EUR
Availability: InStock

Diodit 1000 V 1,25A Läpivientiaukko SOD-57

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BYT54M-TAP
DigiKeyn tuotenumero	BYT54M-TAPGICT-ND - Cut Tape (CT) BYT54M-TAPGITB-ND - Teippi ja rasia (TB)
Valmistaja	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Valmistajan tuotenumero	BYT54M-TAP
Kuvaus	DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Valmistajan vakio toimitusaika	9 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Diodit 1000 V 1,25A Läpivientiaukko SOD-57
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Diodit Tasasuuntaajat Yksittäiset diodit	Nopeus Nopea palautuminen =< 500ns, > 200mA (Io)
Valm. Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Käänteinen elpymisaika (trr) 100 ns
Pakkaustapa Cut Tape (CT) Teippi ja rasia (TB)	Virta - käänteinen vuoto @ Vr 5 µA @ 1000 V
Osan tila Aktiivinen	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Teknologia Avalanche	Pakkaus / kotelo SOD-57, Aksiaalinen
Jännite - käänteinen DC (Vr) (maks.) 1000 V	Valmistajan laitepakkaus SOD-57
Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io) 1,25A	Toimintalämpötila - liitos -55°C – 175°C
Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If 1.5 V @ 1 A	Päätuotenumero BYT54

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (6)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
BYT54M-TR	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	18 371	112-BYT54M-TRCT-ND	2,09000 €	Parametrisesti vastaava
EGP10K	onsemi	8 611	EGP10KCT-ND	0,55000 €	Samankaltainen
MUR1100EG	onsemi	11 034	MUR1100EGOS-ND	1,06000 €	Samankaltainen
MUR1100ERLG	onsemi	21 954	MUR1100ERLGOSCT-ND	0,97000 €	Samankaltainen
MUR180EG	Rochester Electronics, LLC	105 547	2156-MUR180EG-OS-ND	0,16998 €	Samankaltainen