Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 3.5893 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TRS4E65H,S1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TRS4E65H,S1Q-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TRS4E65H,S1Q
Kuvaus	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Diodit 650 V 4A Läpivientiaukko TO-220-2L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Diodit Tasasuuntaajat Yksittäiset diodit	Nopeus Ei palautumisaikaa > 500mA (Io)
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Käänteinen elpymisaika (trr) 0 ns
Pakkaustapa Putki	Virta - käänteinen vuoto @ Vr 55 µA @ 650 V
Osan tila Aktiivinen	Kapasitanssi @ Vr, F 263pF @ 1V, 1MHz
Teknologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite - käänteinen DC (Vr) (maks.) 650 V	Pakkaus / kotelo TO-220-2
Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io) 4A	Valmistajan laitepakkaus TO-220-2L
Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If 1.35 V @ 4 A	Toimintalämpötila - liitos 175°C

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 11

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki

Valmistajien vakiokoko

Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,86000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,58930 €

TRS4E65H,S1Q