Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 4.15405 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TRS10V65H,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TRS10V65H,LQ
Kuvaus	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Diodit 650 V 10A Kiinnitys pintaan 4-DFN-EP (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Diodit Tasasuuntaajat Yksittäiset diodit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Jännite - käänteinen DC (Vr) (maks.)	650 V
Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io)	10A
Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If	1.35 V @ 10 A
Nopeus	Ei elpymisaikaa > 500mA (Io)
Käänteinen elpymisaika (trr)	0 ns
Virta - käänteinen vuoto @ Vr	100 µA @ 650 V
Kapasitanssi @ Vr, F	649pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	4-VSFN avoin juotoskohta
Valmistajan laitepakkaus	4-DFN-EP (8x8)
Toimintalämpötila - liitos	175°C