Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 5.40905 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TRS10V65H,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TRS10V65H,LQ
Kuvaus	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Diodit 650 V 10A Kiinnitys pintaan 4-DFN-EP (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Diodit Tasasuuntaajat Yksittäiset diodit	Nopeus Ei palautumisaikaa > 500mA (Io)
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Käänteinen elpymisaika (trr) 0 ns
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Virta - käänteinen vuoto @ Vr 100 µA @ 650 V
Osan tila Aktiivinen	Kapasitanssi @ Vr, F 649pF @ 1V, 1MHz
Teknologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite - käänteinen DC (Vr) (maks.) 650 V	Pakkaus / kotelo 4-VSFN avoin juotoskohta
Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io) 10A	Valmistajan laitepakkaus 4-DFN-EP (8x8)
Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If 1.35 V @ 10 A	Toimintalämpötila - liitos 175°C