Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 5.71025 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GT40QR21(STA1,E,D
DigiKeyn tuotenumero	264-GT40QR21(STA1ED-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	GT40QR21(STA1,E,D
Kuvaus	IGBT 1200V 40A TO-3P
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	IGBT 1200 V 40 A 230 W Läpivientiaukko TO-3P(N)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit IGBT-piirit Yksittäiset IGBT-transistorit
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
IGBT-tyyppi	-
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)	1200 V
Virta - kollektori (Ic) (maks.)	40 A
Virta - kollektorin pulssi (Icm)	80 A
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic	2,7V @ 15V, 40A
Teho - maksimi	230 W
Kytkentäenergia	-, 290µJ (pois)
Tulon tyyppi	Standardi
Td (päällä / pois päältä) @ 25°C	-
Testitila	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Käänteinen elpymisaika (trr)	600 ns
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P(N)
Päätuotenumero	GT40QR21