DF2B12M1CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage | Virtapiirin suojaus

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DF2B12M1CT(TPL3)
DigiKeyn tuotenumero	DF2B12M1CT(TPL3)TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	DF2B12M1CT(TPL3)
Kuvaus	TVS DIODE 8VWM 18VC CST2
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	18V (tyyp.) Puristusliitin 1A (8/20µs) Ipp TVS - diodit Kiinnitys pintaan CST2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DF2B12M1CT(TPL3) -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Virtapiirin suojaus Transienttijännitteen vaimennin (TVS) TVS-diodit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
Tyyppi	Zener
Kaksisuuntaiset kanavat	1
Jännite - käänteinen läpilyöntijännite (tyyp.)	8V (maks.)
Jännite - läpilyönti (min)	10V
Jännite - lukitus (maks.) @ Ipp	18V (tyyp.)
Virta - huippupulssi (10/1000µs)	1A (8/20µs)
Teho - pulssin huippu	-
Syöttöjännitteen suojaus	No
Sovellukset	Yleiskäyttöön
Kapasitanssi taajuudella	0,3pF @ 1MHz
Toimintalämpötila	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	SOD-882
Valmistajan laitepakkaus	CST2
Päätuotenumero	DF2B12