DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Virtapiirin suojaus

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DF10G6M4N,LF
DigiKeyn tuotenumero	DF10G6M4NLFTR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	DF10G6M4N,LF
Kuvaus	TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	25V Puristusliitin 2A (8/20µs) Ipp TVS - diodit Kiinnitys pintaan 10-DFN (2,5x1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DF10G6M4N,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Virtapiirin suojaus Transienttijännitteen vaimennin (TVS) TVS-diodit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
Tyyppi	Zener
Kaksisuuntaiset kanavat	4
Jännite - käänteinen läpilyöntijännite (tyyp.)	5,5V (maks.)
Jännite - läpilyönti (min)	5,6V
Jännite - lukitus (maks.) @ Ipp	25V
Virta - huippupulssi (10/1000µs)	2A (8/20µs)
Teho - pulssin huippu	30W
Syöttöjännitteen suojaus	No
Sovellukset	Yleiskäyttöön
Kapasitanssi taajuudella	0,2pF @ 1MHz
Toimintalämpötila	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	10-UFDFN
Valmistajan laitepakkaus	10-DFN (2,5x1)
Päätuotenumero	DF10